特許
J-GLOBAL ID：200903081037997035

レベルシフタ回路およびそれを用いた半導体装置

発明者：
山本 裕雄

山本 裕雄 について

, 
崎山 史朗

崎山 史朗 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174610
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 電源電位を変化させた場合の動作速度の低下と貫通電流の増加を抑えることができるレベルシフタ回路を実現する。【解決手段】 PチャネルMOSトランジスタ31,32と電源線41との間にPチャネルMOSトランジスタ34を挿入し、電源線41の電位(VDDH)の変化に応じてPチャネルMOSトランジスタ34のゲート電位を制御する制御回路81を設けたことにより、電源線41の電位を上げた場合でも、PチャネルMOSトランジスタ31,32の電流駆動能力とNチャネルMOSトランジスタ21,22の電流駆動能力の引き合いをより早く完了させることができ、動作速度の低下と貫通電流の増加を抑えることができる。
請求項（抜粋）：
第1の電源電位と前記第1の電源電位より高い第2の電源電位との差を振幅とする入力信号を、前記第1の電源電位と前記第2の電源電位より高い第3の電源電位との差を振幅とする出力信号に変換するレベルシフタ回路であって、ゲートに前記入力信号の非反転信号を入力し、ソースを前記第1の電源電位に接続した第1のNチャネルMOSトランジスタと、ゲートに前記入力信号の反転信号を入力し、ソースを前記第1の電源電位に接続した第2のNチャネルMOSトランジスタと、ゲートを前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続し、ドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第1のPチャネルMOSトランジスタと、ゲートを前記第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接続し、ドレインを前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレインを接続した第2のPチャネルMOSトランジスタと、ソースを前記第3の電源電位に接続し、ドレインを前記第1と第2のPチャネルMOSトランジスタのソースに接続した第3のPチャネルMOSトランジスタと、前記第1のPチャネルMOSトランジスタのドレイン電位を反転させて前記出力信号として取り出すインバータと、前記第3のPチャネルMOSトランジスタのゲート電位を前記第3の電源電位の変化に応じて制御する制御回路とを設けたことを特徴とするレベルシフタ回路。
Fターム (12件)：
5J056AA00 ,  5J056BB19 ,  5J056BB55 ,  5J056CC00 ,  5J056CC02 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056EE07 ,  5J056FF08 ,  5J056HH03 ,  5J056KK00
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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