特許
J-GLOBAL ID：200903081042552220
多層導電膜のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177747
公開番号（公開出願番号）：特開2000-008184
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：
【要約】【課題】銀系薄膜3と酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜2とで構成される多層導電膜5の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】銀系薄膜3と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜2、4とを積層して構成される多層導電膜5を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。
請求項（抜粋）：
銀系薄膜と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜とを積層して構成される多層導電膜を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングするエッチング方法において、上記エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングする事を特徴とする多層導電膜のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 1/16
, H01L 21/306 F
4K057WA11
, 4K057WB01
, 4K057WB15
, 4K057WC08
, 4K057WE02
, 4K057WE03
, 4K057WF01
, 4K057WN02
, 5F043AA20
, 5F043AA26
, 5F043BB18
, 5F043BB30
