特許
J-GLOBAL ID：200903081068036424
金属導線の間に空隙を備えた半導体装置とその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-128488
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083839
出願日： 1995年05月26日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 回路の導線の間の静電容量的結合が大幅に小さい半導体装置とその製造法を提供する。【構成】 基板の上に、金属層が沈着される。前記金属層がエッチングされて、金属導線が作成される。前記金属導線の間に、除去可能な固体層が沈着される。前記除去可能な固体層と前記導線との上に、多孔質誘電体層が沈着される。そして前記多孔質誘電体層の下の前記金属導線の間に空隙を作成するために、前記除去可能な固体層が前記多孔質誘電体層を通して除去される。前記空隙は小さな誘電率を有し、その結果、前記金属導線の側壁静電容量値が小さくなる。
請求項（抜粋）：
基板の上に金属層を沈着する段階と、頂部を有する金属導線を作成するために前記金属層を予め定められたパターンにエッチングする段階と、前記金属導線の間に除去可能な固体層を沈着する段階と、前記除去可能な固体層と前記金属導線との上に多孔質誘電体層を沈着する段階と、前記多孔質誘電体層の下の前記金属導線の間に空隙を作成するために、前記多孔質誘電体層を通して前記除去可能な固体層を除去する段階と、を有する、半導体装置の金属導線の間に空隙を作成する方法。
引用特許：
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