半導体記憶装置及びその消去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245737
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111096
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】ソース消去型フラッシュEEPROMの消去時間を短縮する。【構成】フェーズIにおいて、メモリセルソース線に消去用高電圧を、当該ソース線の電圧が参照電圧Vref になるまで印加し続ける。ソース線電圧がVrefに達すると、以降はフェーズIIとして、従来の消去パルス印加と消去ベリファイとを、全セルの消去が完了するまで繰返す。【効果】フェーズIにて各セルのしきい値電圧が消去直前の値にまで低下するので、それから消去ベリファイを追加すれば良く、消去動作が早まる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート型電界効果トランジスタをメモリセルとして有する半導体記憶装置であって、消去開始指令に応答して前記電界効果トランジスタのソース線の電圧が前記消去用高電圧に近いそれより小なる所定電圧に達するまで前記ソース線に対して前記消去用高電圧を印加する電圧印加手段を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-021998
フラッシュ・メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207102 出願人：富士通株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240041 出願人：富士通株式会社

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