特許
J-GLOBAL ID：200903081096986268
非導電材料内でのカチオン-電子の侵入及び衝突のためのシステム
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松井 光夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-516000
公開番号（公開出願番号）：特表2008-502568
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
本発明は、低エネルギでH+イオンと電子との衝突が生じるのを促進するために、H+イオンと電子を非導電性材料(2)内に侵入する装置に関する。具体的には、本発明は、水素含有化合物(3)及び少なくとも1個のカソード(4)から出る少なくとも1個のH+イオンと少なくとも1個の電子を衝突させる装置に関し、その装置は、前記水素含有化合物(3)から前記H+イオンを引き抜き、かつ、前記H+イオンを前記カソード(4)に向かって移行させるための少なくとも1つの電磁界発生器、及び、前記水素含有化合物の少なくとも一部分と前記カソード(4)との間に配置された少なくとも1つの非導電性材料、と含み、前記衝突は前記非導電性材料内で起こることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
水素含有化合物及び少なくとも1個のカソードから出る少なくとも1個のH+イオンと少なくとも1個の電子を衝突させる装置であって、前記装置は、
前記水素含有化合物から前記H+イオンを引き抜き、前記H+イオンを前記カソードに向かって移行させるための少なくとも1つの電磁界発生器と、及び、
前記水素含有化合物の少なくとも一部分と前記カソードとの間に配置された少なくとも1つの非導電性材料とを含み、
前記衝突は前記非導電性材料内で起こる、ことを特徴とする装置。
IPC (3件)：
C01B 3/00
, B01J 19/08
, H01M 8/06
C01B3/00 A
, B01J19/08 A
, H01M8/06 R
, C01B3/00 B
4G075AA03
, 4G075AA13
, 4G075AA22
, 4G075BC10
, 4G075CA14
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4G075FC11
, 4G075FC15
, 4G140AA04
, 4G140AA11
, 4G140AA42
, 5H027AA02
, 5H027BA00
