特許

J-GLOBAL ID：200903081150983970

超電導デバイスの製造方法

発明者： 西野 壽一 ,  川辺 潮 ,  樽谷 良信 ,  会田 敏之 ,  深沢 徳海 ,  小南 信也 ,  波多野 睦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141565
出願日： 1988年02月24日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】容易に構造でき、かつ、特性の均一な超電導デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板上に弱結合部を加工し、加工された基板上に超電導薄膜を形成して超電導デバイスを製造することを特徴とし、たとえば、SrTiO3単結晶基板1上の弱結合部を形成する領域に非晶質のアルミナ膜13を形成し、次いで、基板上全面にBa-Y-Cu酸化物超電動膜を成膜し、アルミナ膜上には非配向のBa-Y-Cu膜9、露出したSrTiO3基板上にはc軸配向のBa-Y-Cu膜3a、3bを形成して弱結合素子を作製する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板を準備する工程と、前記単結晶基板上に弱結合部を加工する工程と、加工された基板上に超電導薄膜を形成する工程と、を有する超電導デバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/24

FI (3件)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/22 G ,  H01L 39/24 J

Fターム (16件)：

4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA27 ,  4M113AA37 ,  4M113AA55 ,  4M113AB01 ,  4M113AC23 ,  4M113AD36 ,  4M113BA04 ,  4M113BA11 ,  4M113BA15 ,  4M113BA29 ,  4M113BC04 ,  4M113CA13 ,  4M113CA33 ,  4M113CA34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭57-009710
  
• 特開昭60-065583
  
• 特開昭62-273782