特許

J-GLOBAL ID：200903081165248061

接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法

発明者： 古 川 和 由 ,  赤 池 康 彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057441
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル成長層に直接かつ全面にわたって安定的に密着される接着型半導体基板および半導体発光素子並びにこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板12上に組成式In<SB>x</SB>(Ga<SB>1-y</SB>Al<SB>y</SB>)<SB>1-x</SB>Pで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、N型クラッド層14(0.45<x<0.50,0≦y≦1)と活性層15とP型クラッド層16とカバー層17とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層17をエッチングにて除去してP型クラッド層16の表面を露出させる工程と、P型クラッド層16の上に、鏡面加工されたGaP基板11を、被鏡面加工面がP型クラッド層16に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、GaAs基板12側からエッチング処理を行いN型クラッド層14を露出させる工程と、N型クラッド層14の表面とGaP基板11の裏面に電極19をそれぞれ形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板上に形成された第1のエピタキシャル成長層と、少なくとも片面が鏡面加工され、この被鏡面加工面、もしくはこの被鏡面加工面上に成長した第2のエピタキシャル成長層で前記第1のエピタキシャル成長層に一体的に接合された第2の半導体基板と、を備え、前記第1のエピタキシャル成長層の熱膨張率は、前記第2の半導体基板の熱膨張率に近似する接着型半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01L 21/205

Fターム (15件)：

5F041AA03 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA62 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-137680   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭61-183915