特許
J-GLOBAL ID:200903081201512137

軟磁性薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石井 陽一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-235537
公開番号(公開出願番号):特開平7-003489
出願日: 1993年08月27日
公開日(公表日): 1995年01月06日
要約:
【要約】【目的】 0.5Oe以下、特に0.3Oe以下、さらには0.2Oe以下の低保磁力を有し、かつ飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を提供する。【構成】 CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相からなり、X線回折における面心立方晶(200)面のピーク強度および面心立方晶(111)面のピーク強度をそれぞれI(200)およびI(111)としたとき、0.1≦I(200)/I(111)≦0.2である軟磁性薄膜。CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相を主とし、微量の体心立方晶相を含み、X線回折における体心立方晶(110)面のピーク強度をI(110)としたとき、I(200)/I(111)≧0.1かつI(110)/I(111)≦0.1である軟磁性薄膜。
請求項(抜粋):
CoとNiとFeとを含有し、面心立方晶相からなり、X線回折における面心立方晶(200)面のピーク強度および面心立方晶(111)面のピーク強度をそれぞれI(200)およびI(111)としたとき、0.1≦I(200)/I(111)≦0.2であることを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (5件):
C25D 3/56 ,  C25D 5/50 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/26
引用特許:
審査官引用 (6件)
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