光半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044483
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】光検出感度を向上しうる光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板16上に形成された第1のコンタクト層28と、第1のコンタクト層上に形成された第1の量子井戸層34と、第1の量子井戸層上に形成された第2のコンタクト層36と、第2のコンタクト層上に、ストライプ状に形成された光結合層44と、光結合層表面から第1のコンタクト層に達し、その上部がストライプ状にエッチングされた第1の導電性プラグ50と、光結合層の上面及び側面、並びに、ストライプ状にエッチングされた領域の第1の導電性プラグの上面及び側面に形成され、基板側から入射する光を反射する反射層64とを有している。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1のコンタクト層と、前記第1のコンタクト層上に形成された第1の量子井戸層と、前記第1の量子井戸層上に形成された第2のコンタクト層と、前記第2のコンタクト層上に、ストライプ状に形成された光結合層と、前記光結合層表面から前記第1のコンタクト層に達し、その上部がストライプ状にエッチングされた第1の導電性プラグと、前記光結合層の上面及び側面、並びに、ストライプ状にエッチングされた領域の前記第1の導電性プラグの上面及び側面に形成され、前記基板側から入射する光を反射する反射層とを有することを特徴とする光半導体装置。

Fターム (17件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA01 , 5F049NB03 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049QA06 , 5F049QA07 , 5F049QA16 , 5F049RA04 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SE16 , 5F049SS04 , 5F049SZ12 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

光センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-314737 出願人：富士通株式会社
増幅型固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-116524 出願人：ソニー株式会社
特開平4-302472

全件表示

前のページに戻る