特許

J-GLOBAL ID：200903081212657315

レジストパターンの形成方法

発明者： 宮田 修一 ,  及川 朗 ,  田中 裕之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061933
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267150
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 ポジ型化学増幅レジストを用いたレジストパターンの形成方法に関し,レジスト表面の難溶化層を取り除くことができるようにして,キレの良いレジストパターンを実現する。【構成】 基板上にポジ型化学増幅レジストを塗布する。このポジ型化学増幅レジストの表面に,疎水性の透明皮膜を形成する。プリベークを施す。ポジ型化学増幅レジストに電離放射線を照射して,所定のパターンを露光する。PEB(ポスト・エクスポージャー・ベーク)を施す。疎水性の透明皮膜を除去する。ポジ型化学増幅レジストを現像して,所定のレジストパターンを形成する。疎水性の透明皮膜としては,シリコーンポリマーを用いることが好ましく,特に,PMSS(ポリメチルシルセスキオキサン)が望ましい。

請求項（抜粋）：

ポジ型化学増幅レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって,基板上にポジ型化学増幅レジストを塗布する工程と,該ポジ型化学増幅レジストの表面に,疎水性の透明皮膜を形成する工程と,第1の加熱処理を施す工程と,前記ポジ型化学増幅レジストに電離放射線を照射して,所定のパターンを露光する工程と,第2の加熱処理を施す工程と,前記疎水性の透明皮膜を除去する工程と,前記ポジ型化学増幅レジストを現像して,所定のレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26

FI (2件)：

H01L 21/30 361 F ,  H01L 21/30 361 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-050224   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-221814