特許
J-GLOBAL ID：200903081216791032
金属窒化膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335850
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上に、低温で良好な膜質の窒化チタン膜を形成できるようにする。【解決手段】 サセプタ3上の半導体基板4を加熱して、基板温度を略500°Cに保持した状態で、テトラクロルチタンと、アンモニアを反応容器1内に導いて、窒化チタン膜を成膜する。成膜が完了すると、反応容器1内の半導体基板4を、引き続き、基板温度略500°Cに保持する。そして、低圧水銀灯5を点灯して、波長170〜280nmの紫外線で、反応容器1内を照射しながら、アンモニアガスを略1000sccmの流量で、圧力略10Torrに保たれた反応容器1内に導いて、略60秒間のアンモニアアニールを実施する。
請求項（抜粋）：
基板上に金属窒化膜を形成した後、光を照射しながら、NmHn(Nは窒素原子、Hは水素原子、m、nは、任意の自然数)の化学式で表現される化合物又は基を含むガス雰囲気中で、前記金属窒化膜を熱処理することを特徴とする金属窒化膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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特表平6-510089
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半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-149676
出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
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