特許

J-GLOBAL ID：200903081225791851

半導体装置

発明者： 英 善明 ,  細江 英之 ,  吉田 育生 ,  今須 誠士 ,  山口 日出 ,  内田 明久 ,  藤崎 泰則 ,  清水 淳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-280034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129646
出願日： 1995年10月27日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 絶縁保護膜に開口されたコンタクトホールを通じて配線にバリア金属を介してCCB電極を接続する場合、配線とバリア金属間に加わる応力を緩和してバリア金属のクラックを防止することが可能な技術を提供する。【解決手段】 下層配線3にバリア金属6を介してCCB電極9を接続するために絶縁保護膜4に開口されるコンタクトホール5は、互いに分離された複数の小ホール5a乃至5dから構成されている。これにより、個々の小ホール5a乃至5dにおける下層配線3とバリア金属6との接触面積は小さくしたままで、コンタクトホール5の全体の接触面積を増加させることができる。従って、バリア金属6にCCB電極9を接続しても、各小ホール5a乃至5dを通じての両者間の接触面積は小さくなっているので、両者間に加わる応力は緩和される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された配線を覆う絶縁保護膜にコンタクトホールが開口され、このコンタクトホールから前記絶縁保護膜の表面まで延長するようにバリア金属が形成され、このバリア金属にCCB電極が接続されてなる半導体装置であって、前記コンタクトホールは、互いに分離された複数の小ホールから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 602 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141167   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-029090   出願人：カシオ計算機株式会社
• 特開昭62-001249
  
• 特開昭57-002548