特許
J-GLOBAL ID：200903081232950833
電子放射素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-073992
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290702
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】エミッタ基板周辺部での特性を改善しプレート状の素子全面に亘って良好且つ均一な特性を有する電子放射素子を得ることにある。【構成】貫通孔1aを有するゲート電極1と該貫通孔1aと対向する導電領域21に電子放出用微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを絶縁層2を介して積層したプレート状の電子放射素子であって、該電子放射素子は、前記ゲート電極板1側に曲率中心部Oをもつ所定曲率半径Rの球面状若しくは円柱面状の三次元曲面形状である電子放射素子とその製造方法。
請求項（抜粋）：
貫通孔1aを有するゲート電極1と該貫通孔1aと対向する導電領域21に電子放出用微小突起状のエミッタ電極22を有するエミッタ基板20とを、絶縁層2を介して積層したプレート状の電子放射素子であって、該電子放射素子は、前記ゲート電極1側に曲率中心部Oをもつ所定曲率半径Rの球面状若しくは円柱面状の三次元曲面形状であることを特徴とする電子放射素子。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
