特許

J-GLOBAL ID：200903081252806682

半導体装置の製造方法

発明者： 田井 香織
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275207
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093743
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【目的】 メタル電極におけるウィスカーの発生を抑制する。【構成】 半導体基板1上に高融点金属膜6を形成し、この高融点金属膜6上に第1の窒化膜7を形成する。その後、高融点金属膜6および窒化膜7をパターニングし、パターニングされた高融点金属6’膜の側面を窒化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に高融点金属膜を形成する工程と、前記高融点金属膜上に第1の窒化膜を形成する工程と、前記高融点金属膜および前記窒化膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記高融点金属膜の側面を窒化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (8件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 Z ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (68件)：

4M104BB01 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD66 ,  4M104DD67 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD88 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104HH05 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F004AA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB07 ,  5F004EA13 ,  5F004EB02 ,  5F004FA02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033VV06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX10 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F040DA14 ,  5F040DC01 ,  5F040EC02 ,  5F040EC03 ,  5F040EC04 ,  5F040EC05 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040EF02 ,  5F040EJ02 ,  5F040EJ03 ,  5F040EJ04 ,  5F040EK01 ,  5F040FA04 ,  5F040FA07 ,  5F040FA18 ,  5F040FB02 ,  5F040FC02 ,  5F040FC21 ,  5F058BD09 ,  5F058BF41 ,  5F058BF64

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-018745   出願人：ソニー株式会社