特許
J-GLOBAL ID：200903081252908981

面発光半導体レーザ装置

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
今藤 修

今藤 修 について

, 
▲吉▼川 昭男

▲吉▼川 昭男 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049909
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246660
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 光情報処理、非線形光学材料の励起等の光源として好適な、高出力動作可能な、単峰性の遠視野像を持つ面発光半導体レーザを提供する。【解決手段】 一導電型の半導体基板上に形成された一導電型の第一光ガイド層3、活性層4、円形の回折格子を備えた逆導電型の第二光ガイド層5が順次形成されるとともに、前記第二光ガイド層5上に、窓6aを有し、かつ前記活性層4より発振されるレーザ光に対して透明な一導電型の電流ブロック層6が形成され、前記窓6aに逆導電型の第三光ガイド層7が形成された構成である。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上に形成された一導電型の第一光ガイド層、活性層、円形の回折格子を備えた逆導電型の第二光ガイド層が順次形成されるとともに、前記第二光ガイド層上に窓を有し、かつ前記活性層より発振されるレーザ光に対して透明な一導電型の電流ブロック層が形成され、前記窓に逆導電型の第三光ガイド層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/133
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/133
引用特許：
審査官引用 (25件)
  • 特開昭63-150981
  • 特開昭63-150981
  • 特開昭58-051583
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