特許

J-GLOBAL ID：200903081254718772

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法

発明者： 中村 修二 ,  向井 孝志
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-331721
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048057
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【目的】 高品質で結晶性に優れたInGaNの成長方法を提供する。 【構成】 本発明は、基板に原料ガスを供給するキャリアガスと、前記原料ガスを基板面に押圧する不活性ガスを用いて、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法に関する。特に、前記基板上に窒化ガリウム層を成長させた後、前記キャリアガスと前記不活性ガスを共に窒素として、前記窒化ガリウム層の上に、600°Cより高い成長温度で、一般式InXGa1-XN(但し、Xは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板に原料ガスを供給するキャリアガスと、前記原料ガスを基板面に押圧する不活性ガスを用いて、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる方法であって、 前記基板上に窒化ガリウム層を成長させた後、前記キャリアガスと前記不活性ガスを共に窒素として、前記窒化ガリウム層の上に、600°Cより高い成長温度で、一般式InXGa1-XN(但し、Xは0<X<0.5)で表される窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

FI (5件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (56件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077TB05 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TG06 ,  4G077TG07 ,  4G077TH05 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045EE14 ,  5F045EE18 ,  5F073CA07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29 ,  5F073HA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-106556   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-209577
  
• 特開平4-209577