特許

J-GLOBAL ID：200903081290508016

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大竹 文雄
出願人/特許権者： ユーディナデバイス株式会社
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  八田 俊之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-105162
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286953
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 ドレイン電流を低下させることなくドレイン耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、半導体層(2)上に設けられたゲート電極(3)と、ゲート電極(3)を挟むように半導体層(2)上に設けられたソース電極(5)およびドレイン電極(9)と、半導体層(2)上のゲート電極(3)とドレイン電極(9)との間に設けられた電極(10)とを備え、電極(10)の半導体層(2)側の先端部におけるゲート・ドレイン電極間方向の幅は、10nm以上300nm以下であることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体層上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極を挟むように前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、 前記半導体層上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられ、前記ゲート電極および前記ドレイン電極間方向に10nm以上300nm以下で延在する電極部とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/41

FI (6件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 L

Fターム (41件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104HH19 ,  4M104HH20 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AA25 ,  5F140AB02 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA16 ,  5F140BA17 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ25 ,  5F140BK13 ,  5F140CC03 ,  5F140CD02 ,  5F140CD09 ,  5F140CD10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141284   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-299577   出願人：富士通カンタムデバイス株式会社