特許

J-GLOBAL ID：200903081307145907

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307113
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 透明電極とパッド電極との間の接触抵抗を低下させることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板51上に形成された金属電極16と、該金属電極16上に形成された透明電極19とを有する半導体装置において、金属電極16と透明電極19との間に、上面がエッチングされた窒化チタン層52が形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成された金属電極と、該金属電極上に形成された透明電極とを有する半導体装置において、前記金属電極と前記透明電極との間に、上面がエッチングされた窒化チタン層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 616 K ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/78 616 U

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-035236   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-326765