半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356721
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186541
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】シートキャリア濃度Nsの向上に見合った特性向上がされた半導体装置を提供することである。【解決手段】 n型又はアンドープのIntGa1-tAs層(0.15≦t≦0.3)をInおよびAl組成が積層方向に傾斜するInx(AlyGa1-y)1-xAs層(0≦x≦t、0≦y≦0.5)で挟む構造を有する。

請求項（抜粋）：

n型又はアンドープのIntGa1-tAs層(0.15≦t≦0.3)をInおよびAl組成が積層方向に傾斜するInx(AlyGa1-y)1-xAs層(0≦x≦t、0≦y≦0.5)で挟む構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-326734
特開平3-125436
特開平4-369842

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