特許

J-GLOBAL ID：200903081310316178

多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 石田 聡 ,  中谷 紀夫 ,  佐野 景一 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059213
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260707
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 より低温で、ガラス基板上に多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 ガラス基板1上に100nm以上の間隔をあけて結晶核2を形成し、これをエピタキシャル成長させてポリシリコン膜6を形成する。粒径Rは、結晶核2の間隔(100nm以上)になるため、より高品質なポリシリコン膜となる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に所定間隔以上の間隔を開けてシリコンの結晶核を複数形成し、該結晶核を覆って全面にアモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜をエキシマレーザ照射によって結晶化し、所定大きさ以上の粒径のグレインを有する多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205

Fターム (26件)：

5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AF07 ,  5F045AF14 ,  5F045BB07 ,  5F045DB02 ,  5F045HA16 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA01 ,  5F052FA21 ,  5F052GA01 ,  5F052HA01 ,  5F052HA03 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-060026
  
• 核生成サイトを用いたシリコン単結晶の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-070614   出願人：ゼロックスコーポレイション
• 特開平3-114221
  
• 特開平3-060026
  
• 特開平3-114221