特許

J-GLOBAL ID：200903007712874040

核生成サイトを用いたシリコン単結晶の形成方法

発明者： ノバート エイチ ナイケル ,  グレゴリ ビイ アンダーソン ,  スティーブン イー レディ ,  ジェイムズ ビイ ボイス ,  ピン ミイ
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070614
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050608
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 基板上にシリコン単結晶を複数形成する方法を提供する。【解決手段】 基板101上には、複数の核生成サイト105、107、109が形成される。この複数のシリコン核生成サイト105、107、109を覆うように、基板101上にアモルファスシリコン層111が形成される。アモルファスシリコン層111はレーザビーム122によって溶解され、結晶化して複数のシリコン単結晶113、115、117を形成する。複数のシリコン単結晶113、115、117のそれぞれは、複数の核生成サイト105、107、109のそれぞれに対応しつつ形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に複数のシリコン単結晶を形成する方法であって、基板上に複数のシリコン核生成サイトを形成するステップと、前記複数のシリコン核生成サイトを覆うように前記基板上に第1のアモルファスシリコン層を形成するステップと、第1のレーザビームを用いて前記第1のアモルファスシリコン層を溶解するステップと、前記第1のアモルファスシリコン層を結晶化し、前記複数のシリコン核生成サイトにそれぞれ対応する複数のシリコン単結晶を形成するステップと、を含むシリコン単結晶の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 31/04 X

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭57-180118
  
• 特開昭62-003089
  
• 特開平4-186722
  
• 半導体結晶の成長方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-040818   出願人：富士ゼロックス株式会社

審査官引用 (11件)

• 特開昭57-180118
  
• 特開平1-276615
  
• 特開平4-101413
  
• 特開昭59-148322
  
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214717   出願人：三洋電機株式会社
• 基板上の非晶質膜の多結晶化方法及び液晶ディスプレイ基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-080883   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭61-051821
  
• 特開昭61-260621
  
• 特開昭62-119914
  
• 特開昭62-130509
  
• 特開平1-276616