特許

J-GLOBAL ID：200903081312915125

不揮発性メモリとその製造方法

発明者： 名古 久美男 ,  小佐野 浩一 ,  村岡 俊作
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210641
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032729
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 対向する電極間に電気抵抗値が変化する金属酸化物を設け、低消費電力で駆動する低コスト、大記憶容量の低クロストークの特に携帯用機器のメモリとして最適な不揮発性メモリとその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性メモリの製造方法は、対向する電極間に未結晶状態又は不完全な結晶化状態の金属酸化物を設け、前記電極間に高電界エネルギーを印加することにより、発生するジュール熱のエネルギーによって結晶化した金属酸化物からなるメモリ・セル(メモリ領域)を形成する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板の上に配置された下部電極と前記下部電極に対向して配置された上部電極との間に未結晶状態又は不完全な結晶化状態の金属酸化物を設け、前記下部電極と上部電極の間に高電界エネルギーを印加することにより、前記金属酸化物を結晶化することを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 C

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083PR05 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-152419   出願人：シャープ株式会社