半導体レーザー

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199944
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102653
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 QCタイプのレーザーの設計上の大きな自由をデバイスの設計者に与えるために、単純な構造のQCレーザーを利用できるようにする。【解決手段】開示されたユニポーラ量子カスケード(QC)レーザーは、超格子キャリヤー注入/緩和領域(11)によって分離された隣接の活性領域を持ち、多重の本質的に全く同じ活性領域を含む。所定の活性領域(10)は、少くとも2つの電子状態を持つ単一量子井戸(13)を含む。総括的な内部サブバンドの反転分布なしでレーザー光の発光が得られる。その代わりに、k=0近傍のk空間の小さい領域に、低いサブバンドの底からおよそ光フォノン・エネルギー(〜35meV)の範囲内に、電子エネルギーに対応して、ローカルな反転分布が存在すると考えられる。また、本質的にはどのようなQCレーザーの熱特性をも改良するのに使用される設計特微が開示される。

請求項（抜粋）：

ユニポーラ半導体レーザーから構成される物品であって、前記レーザーは、a)第一の導電タイプだけにドーピングされた半導体材料を含む多層の半導体構造と、b)前記多層の半導体構造間に電圧を印加するための手段と、から構成されていて、ここで、c)前記多層構造は、多重の本質的に全く同じ活性領域から構成され、前記活性領域(10)は所定の超格子キャリヤーの注入/緩和領域(11)によって隣接している活性領域から切り離されていて、d)所定の活性領域は単一の量子井戸(13)から構成され、前記量子井戸と関連して、第一の導電タイプの電荷キャリヤーに対して第一と第二のエネルギー状態があって、前記第二のエネルギー状態は前記第一のエネルギー状態よりもエネルギーが高くて、e)前記超格子キャリヤーの注入/緩和領域は、第一のエネルギー状態のキャリヤーに対して比較的伝達しやすく、第二エネルギー状態のキャリヤーに対して本質的にそれほど伝達しないように選択されて、そして、f)第一の導電タイプの電荷キャリヤーの少くともいくつかは、第二のエネルギー状態から第一のエネルギー状態への発光性遷移を受ける、ことを特徴とする、半導体レーザー。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/20 , H01L 33/00 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

単極性半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-078049 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
ユニポーラ半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038670 出願人：日本電信電話株式会社

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