特許
J-GLOBAL ID：200903081354916741
マグネトロン原理によるスパッタリングカソ-ド
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-125080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-001779
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 プレーナスパッタカソードの比較的劣悪なターゲット利用を改善し、そうして成膜コストを低減し、かつ設備の耐用年限を延長する。【解決手段】 磁界のソースを生成する生成体が直角柱、有利に直方体であり、その底面の辺がターゲット平面に平行に整列せしめられており、ソースのフィールド線がそれぞれ生成体の底面に対して傾斜する角度を成して延びている。
請求項（抜粋）：
マグネトロン原理によるスパッタリングカソードであって、少なくとも1つの部分から成っていて、スパッタリングすべき物質から製作されたターゲットが備えられており、ターゲットの後方に異なる極性のソースを持つ磁石系が配置されており、該ソースによって、円弧状に湾曲したフィールド線から成る少なくとも1つの閉じられたトンネルが形成されるようになっており、ターゲットとは反対の側のソースの磁極が軟磁性材料製の磁気ヨークを介して互いに結合された形式のものにおいて、磁界のソースを生成する生成体が直角柱、有利に直方体であり、その底面の辺がターゲット平面に平行に整列せしめられており、ソースのフィールド線がそれぞれ生成体の底面に対して傾斜する角度を成して延びていることを特徴とする、マグネトロン原理によるスパッタリングカソード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/35 Z
, H01J 37/34
