特許

J-GLOBAL ID：200903081362758292

面発光型半導体レーザ装置

発明者： 山本 将央
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-037952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242558
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 電流注入効率が高くかつ発光効率の高い面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 そこで本発明の特徴は、活性層が上部及び下部の多層反射膜により挟まれ、基板面と垂直な方向に光共振器が形成された面発光レーザにおいて、少なくとも上部の多層反射膜が、誘電体多層反射膜からなり、前記誘電体多層反射膜と、活性層との間に、酸化膜電流ブロック層と、電流注入層とが介在せしめられ、前記電流注入層が、アルミニウムの組成比が(0<x≦0.5)を満たしかつ光学膜厚が発振波長λのm/4(mは奇数)の 単層膜からなるAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層で構成され、前記活性層で発振した光は、 前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層を通りその上方に形成される誘電体多層反射膜を介して取り出されるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

活性層が上部及び下部の多層反射膜により挟まれ、基板面と垂直な方向に光共振器が形成された面発光レーザにおいて、少なくとも上部の多層反射膜が、誘電体多層反射膜からなり、前記誘電体多層反射膜と、活性層との間に、酸化膜電流ブロック層と、電流注入層とが介在せしめられ、前記電流注入層が、アルミニウムの組成比が(0<x≦0.5)を満たし、かつ光学膜厚が発振波長λのm/4(mは奇数)の単層膜からなるAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層で構成され、前記活性層で発振した光は、前記Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層を通りその上方に形成される誘電体多層反射膜を介して取り出されるようにしたことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241473   出願人：セイコーエプソン株式会社