高抵抗埋め込み半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩佐義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-203120
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058403
出願日： 1993年08月17日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】半導体レーザにおいて、活性層以外の部分を流れるリーク電流を低減することで閾値電流を低減し、また、半導体レーザに固有の容量を低減し、高速変調を可能とする。【構成】メサ・ストライプ構造を有する半導体レーザにおいて、第1導電型を有する基板1上に形成された活性層3の側面をMOVPE法、またはガス・ソースMBE法によって、第2の導電型を有する低濃度のInPの薄膜層6で被覆した後、さらに高純度のInAlAs7で被覆するか、或は埋め込む。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に形成された、半導体活性層及び第2導電型半導体クラッド層からなるダブルヘテロ構造が、ストライプ状のメサに形成され、前記メサの両側にアンドープInAlAs高抵抗半導体層が形成されていることを特徴とする高抵抗埋め込み半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-180086
半導体レ-ザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081704 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-134895

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