フラッシュアニール

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大島陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-514597
公開番号（公開出願番号）：特表2004-536457
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

本発明は、処理中に半導体ウエハまたは基板のアクティブ層を一様に加熱する方法及び制御可能に加熱する方法に関する。本発明は、放射エネルギー源を含んでもよく、それは反射/吸収表面によって概ね取り囲まれて封入されており、エネルギー源より発光される放射エネルギーを反射及び吸収する。本発明によれば、ウエハに見られるように結果的なエネルギー出力が概ね一様である。

請求項（抜粋）：

基板の高速熱処理のためのシステムであって、放射エネルギー源と、放射エネルギーを基板表面に衝当させる前記放射エネルギー源を概ね取り囲むリフレクタとを含み、前記放射エネルギー源が前記基板のアクティブ層を瞬時に加熱するべくフラッシュされるように構成されることを特徴とするシステム。

IPC (1件)：

H01L21/265

FI (1件)：

H01L21/265 602B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭55-075224
特開昭55-075224
特開昭55-075224

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