特許
J-GLOBAL ID：200903081430364958

半導体レーザ素子及び半導体レーザ駆動装置及び半導体レーザ駆動方法

発明者：
松田 京子

松田 京子 について

, 
奥村 敏之

奥村 敏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-382174
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214407
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】本発明は、素子構造の作製が容易で、かつ消費電力が小さく、戻り光雑音を低減できる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】双安定状態で動作するように半導体レーザ素子10を構成する。そして、端子1aに有色雑音を重畳した高周波の変調電流を供給することで、この有色雑音が重畳された変調電流を光増幅領域7aに注入する。このとき、端子1bを介して可飽和吸収領域7bに定電流を注入し、光増幅領域7aへの注入電流と光出力との関係にヒステリシスが形成されるように調整する。このようにして、振幅の大きい光出力が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
注入される電流を増幅して光を発生する光増幅領域と光増幅領域で発生した光を吸収する可飽和吸収領域より成るとともにレーザ光を発生する活性層を有し、前記光増幅領域へ供給される電流値に対して出力するレーザ光の出力を表す電流-光出力特性がヒステリシスを有する双安定状態で動作する半導体レーザ素子において、 前記光増幅領域に電流を注入する第1電極と、 前記可飽和吸収領域に電流を注入する第2電極と、 を備え、 前記第1電極に直流の動作電流に高周波電流が重畳された変調電流が供給されるとともに、前記第1電極及び前記第2電極のいずれか一方に雑音電流が供給されることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/065
FI (1件)：
H01S5/065
Fターム (11件)：
5F073AA11 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB24 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073EA01 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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