特許
J-GLOBAL ID:200903081434205544

セシウム導入装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-248939
公開番号(公開出願番号):特開2000-075075
出願日: 1998年09月03日
公開日(公表日): 2000年03月14日
要約:
【要約】【課題】 局部的に低温部のでき易い弁bを削除し、セシウムを安定して導入できるセシウム導入装置を提供することを、本発明の目的とする。【構成】 リザーバタンクを、セシウムを封入する内筒と、冷却ガスの通気ダクトを備えた外筒とから構成し、周囲にヒータを配置し、冷却ガスを遮断して加熱ヒータの電源を入れ、セシウム蒸気を導入させたこと、および、加熱ヒータの電源を切り冷却ガスを流入して、セシウム蒸気を遮断するようにしたことを特徴とするセシウム導入装置。本発明によれば、従来の弁bが削除できるので、セシウムを安定して導入できる効果がある。
請求項(抜粋):
セシウムを封入するリザーバタンク、および、弁、導入管から構成されるセシウム導入装置において,リザーバタンクを加熱、あるいは、冷却することにより、リザーバタンク内のセシウムの温度を上下させて、セシウムの蒸気圧を変化させることにより、遮断弁を使用せずにセシウム蒸気の導入及び遮断を自在にできるようにしたことを特徴とするセシウム導入装置。
IPC (5件):
G21B 1/00 ,  G21K 1/14 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/00
FI (5件):
G21B 1/00 U ,  G21K 1/14 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/00
Fターム (13件):
2G085AA20 ,  2G085BA02 ,  2G085BD01 ,  2G085BE02 ,  2G085BE10 ,  2G085CA05 ,  2G085CA24 ,  2G085EA04 ,  5C030DE05 ,  5C030DF04 ,  5C030DG01 ,  5C030DG06 ,  5C030DG09
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • イオン源
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-193535   出願人:日新電機株式会社

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