特許
J-GLOBAL ID：200903081449121606

圧電セラミックス及びその製造方法

発明者：
谷 俊彦

谷 俊彦 について

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竹内 嗣人

竹内 嗣人 について

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木村 敏夫

木村 敏夫 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-075670
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261435
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：
【要約】【課題】 BNT又はこれを端成分とする圧電セラミックスにおいて、高い焼結体密度及び/又は高い{100}面配向度が安定して得られる圧電セラミックス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る圧電セラミックスは、x(Bi0.5Na0.5TiO3)-(1-x)ABO3(但し、0.1≦x≦1)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、さらに化学量論比のBiより少なくとも0.1%過剰のBiが含まれていることを特徴とする。この場合、圧電セラミックスを構成する各結晶粒の擬立方{100}面が配向していることが望ましい。このような圧電セラミックスは、板状のBi4Ti3O12粉末を含む化学量論配合の原料に対し、少なくとも0.5%過剰のBiを含むBi含有原料を添加し、板状粉末が配向するように成形した後、所定の温度で熱処理することにより得られる。
請求項（抜粋）：
x(Bi0.5Na0.5TiO3)-(1-x)ABO3(但し、0.1≦x≦1)で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、さらに前記ペロブスカイト型化合物に含まれる化学量論比のBiより少なくとも0.1%過剰のBiが含まれている圧電セラミックス。
IPC (2件)：
C04B 35/46 ,  H01L 41/187
FI (2件)：
C04B 35/46 J ,  H01L 41/18 101 J
Fターム (14件)：
4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA19 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031CA02 ,  4G031GA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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