特許
J-GLOBAL ID：200903092981184464

強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子

発明者：
伊藤 康幸

伊藤 康幸 について

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牛久保 真帆

牛久保 真帆 について

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横山 誠一

横山 誠一 について

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松永 宏典

松永 宏典 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-145425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321234
出願日： 1996年06月07日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、成膜温度の低温化、リーク電流の低減が可能な強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子を提供することを目的としている。【解決手段】 基板上に下部電極層4と強誘電体薄膜5と上部電極層6とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された下部電極層4上に物理的蒸着法又は化学的蒸着法により強誘電体薄膜5と成る酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に上部電極層6を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜5を形成する熱処理工程を施す。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子の製造方法において、基板上に形成された前記下部電極層上に物理的蒸着法又は化学的蒸着法により強誘電体薄膜と成る酸化物薄膜を形成し、該酸化物薄膜上に上部電極層を形成した後に、1気圧より低いガス圧力雰囲気中にて加熱して強誘電体薄膜を形成する熱処理工程を施すことを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (13件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 21/316
FI (9件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z
引用特許：
審査官引用 (5件)
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