特許
J-GLOBAL ID：200903081481673750

プラズマ処理装置、クラスターツールおよびプラズマ制御方法

発明者：
小美野 光明

小美野 光明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331496
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148378
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 処理対象の可搬性を確保しつつ、プラズマを均一化する。【解決手段】 z方向に移動可能なピン状導体48をインサート型ゲートバルブ37に接近させるとともに、インサート型ゲートバルブ37の内側の形状に沿って配置することにより、インサート型ゲートバルブ37の部分でも、筐体隔壁44の部分と同様に電流を流すようにして、電流の流れを均一化する。
請求項（抜粋）：
プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマの軸対称性を制御する軸対称性制御手段とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B
Fターム (19件)：
4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC01 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ17 ,  5F045EN01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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