特許
J-GLOBAL ID：200903081482829010
半導体用冷却部品の製造方法及び半導体レーザ用冷却部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山谷 晧榮 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253381
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097770
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】高出力半導体レーザダイオードの如く、多量のジュール熱の発生する半導体等を効率よく冷却する冷却部品を容易に提供すること。【解決手段】銅系金属薄板に銅と共晶合金を作る金属のメッキを施して接合する半導体冷却部品の製造方法を特徴とする。
請求項（抜粋）：
銅系金属薄板に銅と共晶合金を作る金属のメッキを施して接合することを特徴とする半導体用冷却部品の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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