電気素子の接合材料および接合方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140175
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181392
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】十分な接着強度と安定した電気的接続を得るように半導体素子を台座に接合する。【構成】半導体レーザ素子のオーミック電極であるn型電極9にNi層10、Au-Snはんだ層11を形成し、さらにこのはんだ層11を溶融して、金メッキ21aが施されたヒートシンク21に接合する。Ni層10の膜厚としては500Å以上とする。はんだ層11の溶融時に、Ni層10中のNiがはんだ層11に拡散し、はんだ層11中のSnがNi層10中に拡散するという相互拡散により、密着強度、塗れ性を向上させることができる。また、Ni層10の組成比をAu-Snはんだ層11に対し1.3wt%以上10wt%未満とすることにより、低い融点で接合行うことができ、しかも高い接合強度を得ることができる。

請求項（抜粋）：

電気素子の電極を基台に接合する接合材料であって、Auを主体としたAu-Sn-Ni合金であり、Niの組成比が1.3wt%以上10wt%未満であることを特徴とする電気素子の接合材料。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 23/40

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体部品の接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216856 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特開2040-143763
特開昭63-136533

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審査官引用 (3件)

半導体部品の接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216856 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
特開昭63-136533
特開平2-260671

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