特許
J-GLOBAL ID:200903081484506324
電子装置の製造方法および製造装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-006668
公開番号(公開出願番号):特開2000-208443
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】 絶縁膜に形成された溝に金属層を埋め込み、これを化学的機械研磨法で平坦化するに際し、ディッシングやリセス等の形状異常を防止する。【解決手段】 めっき法で金属層7を堆積するとともに、化学的機械研磨法で金属層7を除去する。めっき法による金属層7の堆積と、化学的機械研磨法による金属層7の除去とを交互に反復してもよい。
請求項(抜粋):
被処理基体上の絶縁膜に形成された溝に、金属層を埋め込む工程を有する電子装置の製造方法であって、前記金属層を埋め込む工程は、前記金属層をめっき法で堆積しつつ、前記金属層を化学的機械研磨法により除去する工程を有し、前記溝内にのみ、前記金属層を埋め込むことを特徴とする電子装置の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/288
, H01L 21/28 301
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
FI (4件):
H01L 21/288 E
, H01L 21/28 301 Z
, H01L 21/306 M
, H01L 21/88 M
Fターム (45件):
4M104AA01
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104DD08
, 4M104DD37
, 4M104DD52
, 4M104DD75
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 4M104GG13
, 4M104HH12
, 5F033HH11
, 5F033HH14
, 5F033HH19
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033MM01
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP14
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ13
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033XX01
, 5F043AA26
, 5F043DD10
, 5F043DD15
, 5F043DD16
, 5F043DD30
, 5F043FF01
, 5F043FF07
, 5F043GG02
, 5F043GG03
, 5F043GG10
引用特許:
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