特許
J-GLOBAL ID:200903081484506324

電子装置の製造方法および製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-006668
公開番号(公開出願番号):特開2000-208443
出願日: 1999年01月13日
公開日(公表日): 2000年07月28日
要約:
【要約】【課題】 絶縁膜に形成された溝に金属層を埋め込み、これを化学的機械研磨法で平坦化するに際し、ディッシングやリセス等の形状異常を防止する。【解決手段】 めっき法で金属層7を堆積するとともに、化学的機械研磨法で金属層7を除去する。めっき法による金属層7の堆積と、化学的機械研磨法による金属層7の除去とを交互に反復してもよい。
請求項(抜粋):
被処理基体上の絶縁膜に形成された溝に、金属層を埋め込む工程を有する電子装置の製造方法であって、前記金属層を埋め込む工程は、前記金属層をめっき法で堆積しつつ、前記金属層を化学的機械研磨法により除去する工程を有し、前記溝内にのみ、前記金属層を埋め込むことを特徴とする電子装置の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/288 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205
FI (4件):
H01L 21/288 E ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/88 M
Fターム (45件):
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG13 ,  4M104HH12 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX01 ,  5F043AA26 ,  5F043DD10 ,  5F043DD15 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043FF01 ,  5F043FF07 ,  5F043GG02 ,  5F043GG03 ,  5F043GG10
引用特許:
審査官引用 (2件)

前のページに戻る