特許
J-GLOBAL ID：200903081485747821

ナノクリスタライトの調製

発明者：
バウェンディー, マウンギー ジー.

バウェンディー, マウンギー ジー. について

, 
スコット, ネイサン イー.

スコット, ネイサン イー. について


出願人/特許権者：
マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー

マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-548750
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515441
出願日： 2001年12月06日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。このナノクリスタライトは、150Å未満の直径を有する。このナノクリスタライトは、狭いサイズ分布を有するナノクリスタライトのメンバーであり得る。このナノクリスタライトは、球形、棒形、円盤形または他の形状であり得る。このナノクリスタライトは、半導体材料のコアを含み得る。コアは、このコアの表面上にオーバーコーティングを有し得る。このオーバーコーティングは、このコアの組成とは異なる組成を有する半導体材料であり得る。
請求項（抜粋）：
ナノクリスタライトを製造する方法であって、該方法は、以下: 金属MまたはM含有塩、および還元剤を接触させて、M含有前駆体を形成する工程であって、ここで、Mは、Cd、Zn、Mg、Hg、Al、Ga、InまたはTlである、工程; 該M含有前駆体を、Xドナーと接触させて、混合物を形成する工程であって、ここで、Xは、O、S、Se、Te、N、P、AsまたはSbである、工程;および アミンの存在下で該混合物を加熱して、ナノクリスタライトを形成する、工程、 を包含する、方法。
IPC (1件)：
C01B19/04
FI (3件)：
C01B19/04 A ,  C01B19/04 C ,  C01B19/04 G
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM