キンク抑制層を備えた半導体レーザー

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：細田芳徳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-527008
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500447
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：

【要約】上位の側方モードの確定を優先的に防止するために分散型フィードバック・レーザーダイオードの共振空胴の光学特徴が制御されるキンク抑制法が開示されている。これはキンク出力の増加、従ってデバイスの有効出力範囲の増加を生じさせる。詳細には、好ましくはシリコン若しくはチタンである光学層をエッチングされた上方被覆層の上およびリッジの両側の上で光軸に沿って溶着する。

請求項（抜粋）：

能動層;能動層を挟む上方被覆層および下方被覆層;光軸の方向に伸びている、上方被覆層に形成されたリッジ;光軸に沿ってデバイスの両端上に位置しており、かつ共振空胴を規定するファセット;光軸に沿って配置され、かつ共振空胴特徴へのキンク出力従属性を低下させるために前記被覆層に相対的に方向付けられているキンク抑制層、を含んでなる半導体レーザーデバイス。

Fターム (16件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA46 , 5F073AA73 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073BA01 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB19 , 5F073DA01 , 5F073DA07 , 5F073DA22 , 5F073EA16 , 5F073EA19

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭53-122390
特開昭60-041280
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-115762 出願人：三洋電機株式会社

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