特許

J-GLOBAL ID：200903081505439800

水素センサおよび水素ガス検知装置

発明者： 内山 直樹 ,  松田 直樹 ,  吉村 和記 ,  加藤 健次
出願人/特許権者： 株式会社アツミテック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 長門 侃二 ,  山中 純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315600
公開番号（公開出願番号）：特開2008-128884
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】外乱光等の影響を受けず、高感度で、好ましくは、漏洩水素ガスの検知時間を設定可能な水素センサおよび水素ガス検知装置を提供する。【解決手段】平板光伝送路表面に薄膜層を形成するとともに薄膜層表面に触媒層を形成して平板光伝送路と薄膜層の間に第1の境界面を形成し、また裏面に基板が接するようにして平板光伝送路と基板の間に第2の境界面を形成し、光源からの光を入射部で平板光伝送路の一端側に拡散・入射させ、第1の境界面と第2の境界面との間で交互に反射させて、平板光伝送路の他端側から出射させるとともに出射集光部によって光センサへと伝送し、薄膜層を水素に触れた触媒層で水素化して第1の境界面からの反射光量を低下させ、この光量低下を光センサで検知して、水素ガスを検知する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

平板光伝送路と、 前記平板光伝送路の表面に形成されて前記平板光伝送路との間に第1の境界面を形成する薄膜層と、 前記薄膜層の表面に形成された触媒層と、 前記平板光伝送路の裏面に接して前記平板光伝送路との間に第2の境界面を形成する基板と、 光源から放射された光を前記平板光伝送路の一端側に導入する入射部と、 前記一端側に導入され前記平板光伝送路を伝送されて前記平板光伝送路の他端側から出射した光を、集光し光センサに伝送する出射集光部とを有し、 前記入射部は、光源から放射された光を、前記平板光伝送路の厚さ方向に拡散して入射する手段あるいは前記平板光伝送路の幅方向に拡散して入射する手段の、いずれか一方若しくは双方を有し、 前記平板光伝送路は、前記一端側に入射した光を、前記第1の境界面と前記第2の境界面とを交互に反射させて伝送し、 前記触媒層は、雰囲気中に含まれる水素ガスに触れると前記薄膜層を水素化して前記薄膜層および前記薄膜層が前記平板光伝送路との間に形成した前記第1の境界面の光学的反射率を可逆的に変化させる ことを特徴とする水素センサ。

IPC (2件)：

G01N 21/77 ,  G01N 21/78

FI (2件)：

G01N21/77 A ,  G01N21/78 B

Fターム (4件)：

2G054CA04 ,  2G054EA05 ,  2G054FA12 ,  2G054FA16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 光学反射率変化を用いる水素センサ、水素検出方法及び検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-314593   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所