特許
J-GLOBAL ID:200903033392172778
光学反射率変化を用いる水素センサ、水素検出方法及び検出装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
須藤 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-314593
公開番号(公開出願番号):特開2005-083832
出願日: 2003年09月05日
公開日(公表日): 2005年03月31日
要約:
【課題】 水素化による表面の光学反射率の変化により水素濃度を検知できる水素センサ及び水素濃度検知方法を提供する。【解決手段】 水素を含んだ雰囲気に触れることで水素化して物性が変化する薄膜材料を用い、その光学反射率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素センサであって、(1)上記薄膜材料が、マグネシウム・ニッケル合金薄膜もしくはマグネシウム薄膜である、(2)上記薄膜材料の上に触媒層が形成されている、(3)室温(20°C付近)で水素と反応して表面の光学反射率が変化する、ことを特徴とする水素センサ、該水素センサを使用した水素濃度の検出方法、及び検出装置。【選択図】なし
請求項(抜粋):
水素を含んだ雰囲気に触れることで水素化して物性が変化する薄膜材料を用い、その光学反射率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素センサであって、
(1)上記薄膜材料が、マグネシウム・ニッケル合金薄膜もしくはマグネシウム薄膜である、
(2)上記薄膜材料の上に触媒層が形成されている、
(3)室温(20°C付近)で水素と反応して表面の光学反射率が変化する、
ことを特徴とする水素センサ。
IPC (3件):
G01N31/00
, G01N21/77
, G01N31/10
FI (3件):
G01N31/00 C
, G01N21/77 A
, G01N31/10
Fターム (16件):
2G042AA01
, 2G042BB02
, 2G042CB01
, 2G042DA07
, 2G042FA07
, 2G042FB07
, 2G042FC03
, 2G042FC06
, 2G042FC07
, 2G054AA01
, 2G054CA04
, 2G054EA05
, 2G054EB01
, 2G054GA05
, 2G054GB01
, 2G054GE06
引用特許:
引用文献:
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