半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006393
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241768
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】超接合ウエハの作製に有利で、かつトレンチゲート構造の作製にも有利な面方位を備えた構成とすること。【解決手段】 (100)面を表面とするN型半導体基板1に、<001>方向に伸び、かつ(010)面またはこれと等価な面を側面とする第1のトレンチ2を複数形成し、このトレンチ2をP型エピタキシャル層3で埋めることにより、超接合ウエハを作製する。この超接合ウエハに、<001>方向に伸びる第2のトレンチ4を形成し、このトレンチ4をゲート絶縁膜5およびゲート電極6で埋めることにより、トレンチゲート構造を有する半導体素子を作製する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(100)面またはこれと等価な面を表面とする第1導電型の半導体基板よりなる第1の半導体領域と、前記半導体基板の表面層にて<001>方向に伸び、かつ(010)面またはこれと等価な面を側面とする複数の第1のトレンチ内に埋め込まれた第2導電型のエピタキシャル層よりなる第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域の表面層にて<001>方向に伸びる第2のトレンチと、前記第2のトレンチの内面に沿うゲート絶縁膜と、前記第2のトレンチ内の、前記ゲート絶縁膜の内側に埋め込まれたゲート電極と、を具備することを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652F , H01L29/78 652T , H01L29/78 653A , H01L29/78 655A

引用特許：

出願人引用 (6件)

欧州特許出願公開第0053854号明細書
米国特許第5216275号明細書
米国特許第5438215号明細書

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審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-133255 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-190017 出願人：新電元工業株式会社
縦形電界効果半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-154415 出願人：株式会社日立製作所

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