特許
J-GLOBAL ID：200903081540110471

加工片の表面における分散層を直流的に分離する方法

発明者：
トーマス・ルンプフ

トーマス・ルンプフ について


出願人/特許権者：
ミバ・グライトラーゲル・アクチエンゲゼルシヤフト

ミバ・グライトラーゲル・アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176286
公開番号（公開出願番号）：特開2002-047598
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 比較的わずかな費用で分散層が電気的に分離でき、これらの分散層が、比較的多くの割合の分散相を有するように、加工片の表面における分散層を直流的に分離する方法を構成する。【解決手段】 加工片の表面における、とくに平軸受シェルにおける軸受層における分散層を直流的に分離する方法が記載され、その際、その中に細かく分配して分散した相を有する電解質が、表面に平行な流れ成分を形成して、被覆すべき加工片表面に対して動かされる。有利な方法条件を提供するために、被覆すべき加工片の表面が、被覆の前に、5μmの平均最小プロファイル深さを有するようにプロファイル化され、かつそれから起こり得るプロファイル方向に対して横向きの加工片表面に対する電解質の流れ成分において被覆されることが提案される。
請求項（抜粋）：
その中に細かく分配して分散した相を有する電解質が、表面に平行な流れ成分を形成して、被覆すべき加工片表面に対して動かされる、加工片の表面における、とくに平軸受シェルにおける軸受層における分散層を直流的に分離する方法において、被覆すべき加工片の表面が、被覆の前に、5μmの平均最小プロファイル深さを有するようにプロファイル化され、かつそれから起こり得るプロファイル方向に対して横向きの加工片表面に対する電解質の流れ成分において被覆されることを特徴とする、加工片の表面における、とくに平軸受シェルにおける軸受層における分散層を直流的に分離する方法。
IPC (2件)：
C25D 15/00 ,  F16C 33/14
FI (2件)：
C25D 15/00 B ,  F16C 33/14 Z
引用特許：
審査官引用 (13件)
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