特許
J-GLOBAL ID：200903081548717197
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-301035
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118957
出願日： 1999年10月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズBGA型半導体装置では、実装後にチップのパッドとバンプ部を接続する配線と実装基板上の配線との相互の干渉、或いはチップ内配線との相互の干渉を生じやすい。【解決手段】 チップ2と、このチップ2の表面のボンディングパッド3の部分を除く全面を被覆する第1のポリイミド膜4と、この上の所定の位置に形成された外部接続用半田ボールを搭載するランド5と、第1のポリイミド膜4の上に形成されたパッド3とランド5とを接続する配線6と、ランド5を除くチップ全面を被覆する第2のポリイミド膜7と、この第2のポリイミド膜7の上にに形成された第1の銅膜8と、この第1の銅膜8の上に形成されたコーティング樹脂膜9と、ランド5の上に接合された半田ボール10を有している。
請求項（抜粋）：
半導体チップと、いずれも前記チップ上に形成された第1の絶縁樹脂,配線,第2の絶縁樹脂,外部接続用バンプ及び第1の金属膜を少なくとも備え、前記配線は第1の絶縁樹脂を介して前記チップ上に形成され前記チップのボンディングパッドと前記バンプを接続しており、前記第2の絶縁樹脂は前記配線の上層に形成され前記バンプ形成領域を除く前記チップの表面全体を被覆しており、前記第1の金属膜は前記第2の絶縁樹脂上に形成され前記バンプ部を除く前記チップの表面全体を被覆していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 Q
, H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 L
5F044KK09
, 5F044LL01
, 5F044QQ02
