特許

J-GLOBAL ID：200903046863199676

半導体装置及びその製造方法

発明者： 下石坂 望 ,  吉田 隆幸 ,  佐原 隆一 ,  中村 嘉文 ,  隈川 隆博
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221559
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058695
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップを有し、外部からの雑音成分による影響を受けにくく、かつ半導体チップ自身からの不要ふく射が少ない半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体チップ10の主面上に通常電極11Aと基準電位電極11Bとを露出して形成された第1の絶縁層20と、各々通常電極11Aと基準電位電極11Bとから延び第1の絶縁層20上のランド23A,23Bに接続された金属配線22A,22Bと、基準電位電極11B上の金属配線22Bとランド23A,23Bとを露出した第2の絶縁層24と、第2の絶縁層24上に形成され基準電位電極11B上の金属配線22Bに電気的に接続された遮蔽金属層27と、ランド23A,23Bを露出して形成されたソルダーレジスト28と、金属ボール29とを備える。半導体チップ10の基準電位と等電位になる遮蔽金属層27によって、雑音成分による影響と半導体チップ10からの不要ふく射とが抑制される。

請求項（抜粋）：

主面上に電極と基準電位に接続される基準電位電極とが配置された半導体チップと、前記主面上に設けられ、かつ前記電極の上方対応部位及び前記基準電位電極の上方対応部位が各々開口された第1の絶縁層と、前記電極に前記第1の絶縁層の開口部を通じて接続され、かつ前記第1の絶縁層の上へ延出された配線と、前記第1の絶縁層の上に前記配線に接続されて設けられ、外部機器との間で信号を授受するための外部電極端子と、前記電極及び前記配線を覆うとともに前記基準電位電極の上方対応部位及び前記外部電極端子の上方対応部位が各々開口された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層を覆うとともに前記基準電位電極に前記第2の絶縁層の開口部を通じて電気的に接続された導電層とを備えたことを特徴とする半導体装置。