特許
J-GLOBAL ID：200903081556376625
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337709
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163137
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】酸素プラズマにより変質する絶縁膜を一部にもった構造の加工後のフォトレジスト除去を絶縁膜の劣化なく行い、ビア抵抗の不良を無くし、信頼性を向上する半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】フォトレジストを除去するために少なくとも化学的機械研磨を一部に用い、またはさらに残ったレジストを露光し現像液にさらす工程を有する。
請求項（抜粋）：
酸素プラズマにより劣化する絶縁膜を一部にもつ層間膜の接続孔または溝加工用のフォトレジストを除去する工程において、少なくとも化学機械的研磨を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 321
H01L 21/90 A
, H01L 21/304 321 M
, H01L 21/30 572 Z
, H01L 21/302 N
