特許
J-GLOBAL ID：200903081561957393
受光素子を有する半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221573
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068146
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 空乏層幅を充分確保でき、高速で高感度な受光素子を、高速なバイポーラ素子とともに同一の半導体基板上に混載することができるようにする。【解決手段】 半導体基体よりなるか、あるいは半導体基体上に成膜された半導体層よりなる第1導電型の第1の半導体領域31と第1の半導体領域31上に形成され、これに比し低不純物濃度の第1導電型の第2の半導体領域32と、第2の半導体領域32に対して第2導電型不純物が導入された不純物導入領域よりなる第1または第2導電型の高抵抗率の第3の半導体領域33と、第3の半導体領域33上に形成された第1または第2導電型の低不純物濃度の第4の半導体領域34と、第4の半導体領域34上に形成された高不純物濃度の第2導電型不純物を含有する第5の半導体領域35とを具備して成る受光素子が形成された構成とする。
請求項（抜粋）：
受光素子を有する半導体装置において、半導体基体よりなるか、あるいは半導体基体上に成膜された半導体層よりなる第1導電型の第1の半導体領域と、該第1の半導体領域上に形成され、該第1の半導体領域に比し低不純物濃度の第1導電型の第2の半導体領域と、該第2の半導体領域に対して該第2の半導体領域の深さより浅く第2導電型不純物が導入された不純物導入領域よりなる第1または第2導電型の高抵抗率の第3の半導体領域と、該第3の半導体領域上に形成された第1または第2導電型の低不純物濃度の第4の半導体領域と、該第4の半導体領域上に形成された高不純物濃度の第2導電型不純物を含有する第5の半導体領域とを具備してなる受光素子が形成されて成ることを特徴とする受光素子を有する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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