特許
J-GLOBAL ID：200903081566593420
面発光半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166726
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018083
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 面発光半導体レーザに関し、構成要素となる半導体材料の選択の自由度を広げることを目的とする。【構成】 一導電型基板と、屈折率の異なる2種類の一導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる一導電型反射鏡層と、一導電型半導体膜から成る第1のクラッド層と、レーザ光を発生させる活性層と、反対導電型半導体膜から成る第2のクラッド層で構成される共振器と、屈折率の異なる2種類の反対導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる反対導電型反射鏡層を積層して成る面発光半導体レーザにおいて、一導電型基板、一導電型反射鏡層、共振器及び反対導電型反射鏡層のうち、格子不整合の生じる基板と層の間、あるいは層と層の間に、半導体の組成がグレーデッドに変化するグレーデッド層を形成する。
請求項（抜粋）：
一導電型基板と、屈折率の異なる2種類の一導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる一導電型反射鏡層と、一導電型半導体膜から成る第1のクラッド層と、レーザ光を発生させる活性層と、反対導電型半導体膜から成る第2のクラッド層で構成される共振器と、屈折率の異なる2種類の反対導電型半導体膜から成りレーザ光を反射させる反対導電型反射鏡層を積層して成る面発光半導体レーザにおいて、一導電型基板、一導電型反射鏡層、共振器及び反対導電型反射鏡層のうち、格子不整合の生じる基板と層の間、あるいは層と層の間に、半導体の組成がグレーデッドに変化するグレーデッド層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。
引用特許：
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