特許

J-GLOBAL ID：200903081584621457

薄膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 御子柴 俊明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-326307
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093799
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 アライメントマークを精度よく形成することによって、より高品質な薄膜パターンを形成することができる薄膜パターンの形成方法を提供する。また、高品質な薄膜パターンを備えた電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】 基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン用開口部と、アライメントマークを形成するアライメントマーク用開口部とが具備された金属製マスクを用いて、前記基板に撥液性を付与する撥液化処理工程と、撥液化処理された前記基板上に前記金属製マスクを配した後、薄膜パターン及びアライメントマーク用の親液部を形成する親液パターン形成工程と、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記アライメントマークに基づき、液滴吐出法により前記親液部に機能液を配置して薄膜パターンを形成する機能液配置工程と、を具備する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板上の機能液が配置されるパターンと同じ形状、大きさの開口パターンを有する薄膜パターン用開口部と、アライメントマークを形成するアライメントマーク用開口部とが具備された金属製マスクを用いて基板上に機能液を所定のパターンに配置することによって薄膜パターンを形成する方法であって、 前記基板に撥液性を付与する撥液化処理工程と、 撥液化処理された前記基板上に前記金属製マスクを配した後、薄膜パターン用及びアライメントマーク用の親液部を形成する親液パターン形成工程と、 前記アライメントマーク用の親液部にアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、 前記アライメントマークに基づき、液滴吐出法により前記薄膜パターン用の親液部に機能液を配置して薄膜パターンを形成する機能液配置工程と、を具備することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (8件)：

H01L21/288 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 ,  H01B13/00 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (8件)：

H01L21/288 Z ,  G02B5/20 101 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 342Z ,  H01B13/00 503D ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B

Fターム (75件)：

2H048BA43 ,  2H048BA64 ,  2H048BB42 ,  2H092GA24 ,  2H092GA51 ,  2H092GA59 ,  2H092GA60 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JB21 ,  2H092JB69 ,  2H092KB03 ,  2H092KB04 ,  2H092KB06 ,  2H092MA12 ,  2H092MA14 ,  2H092MA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH31 ,  5F033HH35 ,  5F033HH40 ,  5F033LL08 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5G323CA05 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435CC09 ,  5G435CC12 ,  5G435GG12 ,  5G435HH12 ,  5G435HH18 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社