Bi系超電導欠陥補修用組成物及びそれを用いるBi系超電導欠陥補修方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031969
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294630
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 Bi系超電導体の欠陥部分を欠陥部分周辺領域の超電導相と超電導的に接合して、該欠陥部分を補修・修復されたBi系超電導体の提供。特に、工業的実用性の高い大型のBi系超電導体における欠陥を補修し、微弱な磁気測定の可能な極低磁場空間を可能とするBi系超電導体の提供。【構成】 Bi系超電導相を形成するように構成された原料組成物に、少なくともAg成分及び/またはLi成分からなる添加剤を含有してなり、該原料組成物から超電導相を形成するための部分溶融温度より、少なくとも約5°C降下した溶融温度を有することを特徴とするBi系超電導欠陥補修用組成物。

請求項（抜粋）：

Bi系超電導相を形成するように構成された原料組成物に、少なくともAg成分及び/またはLi成分からなる添加剤を含有してなり、該原料組成物から超電導相を形成するための部分溶融温度より、少なくとも約5°C降下した溶融温度を有することを特徴とするBi系超電導欠陥補修用組成物。

IPC (5件)：

C01G 29/00 ZAA , C01G 1/00 , H01B 12/00 ZAA , H01B 13/00 565 , H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (5件)

ピボットヒンジ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077272 出願人：日本ドアーチエック製造株式会社
特開平4-104970
ビスマス系酸化物超電導体厚板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-246259 出願人：古河電気工業株式会社

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