特許
J-GLOBAL ID：200903081600678715
CCD型固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202158
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 感度、信号遅延、スミア及びノイズ特性と、製造工程時における発生される不都合を除去したCCD型固体撮像素子を提供する。【構成】 フォトダイオード領域の不純物の濃度が一定でなく、濃度の異なる複数の領域によってフォトダイオード領域を構成させた。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン基板(31)と、シリコン基板(31)上に形成された第2導電型の第1ウェル(32)と、第1ウェル(32)内に互いに一定距離をおいて広く形成された複数の第1導電型のフォトダイオード領域(35)と、そのフォトダイオード領域(35)及びそれの隣りの前段のフォトダイオード領域(35′)にオーバラップして第1ウェル(32)内に形成された第2導電型の第2ウェル(39)と、前記第2ウェル(39)内に形成された複数の第1導電型のVCCDチャネル領域(43)と、フォトダイオード領域(35)とVCCDチャネル領域(43)間の第2ウェル(39)内に形成された第2導電型の転送ゲートチャネル領域(39′)と、前記VCCDチャネル領域(43)と前記前段のフォトダイオード領域(35′)間を隔離するための第2ウェル(39)内に形成された第2導電型のチャネルストップ領域(41)と、各フォトダイオード領域(35)の表面下方に形成された第2導電型不純物領域(45)と、基板の全面にわたって形成された薄膜の絶縁膜(33)と、第2ウェル(39)上方の絶縁膜(33)上に形成された転送ゲート電極(44)と、前記ゲート電極(44)を覆うように絶縁膜(33)上に形成された層間絶縁膜(46)と各フォトダイオード領域(35)上方を除いた基板全面に形成された光遮蔽膜(47)と、を含むCCD型固体撮像素子。
引用特許：
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