半導体基板の処理方法、電気的組立体の製作方法、及び、はんだバンプ付き半導体基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097411
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311912
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、フリップチップを有する電気的組立体の信頼性を改良し、製作中に使用される工程及び材料が削減された半導体基板及びその製作方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の半導体基板の処理方法は、導電性領域と、ポリマー層と、リリース層とを含む積層を形成する工程を有し、ポリマー層は、半導体基板と回路層の間に設けられる。アパーチャは、導電性領域を露出するため、ポリマー層とリリース層の間に形成される。アパーチャ内において、はんだ組成物は、はんだバンプを形成するためリフロー処理される。ポリマー層は、半導体基板から得られたチップに対するパッシベーション層として役立つ。

請求項（抜粋）：

導電性領域、ポリマー層、及び、リリース層を有する半導体基板を含み、上記ポリマー層が上記半導体基板と上記リリース層との間に設けられた積層体を形成し、上記導電性領域を露出するため、上記ポリマー層及び上記リリース層にアパーチャを形成し、上記アパーチャ内にはんだ組成物を堆積し、はんだバンプを形成するため、上記はんだ組成物が上記アパーチャ内に残っている間に上記はんだ組成物をリフロー処理し、上記ポリマー層から上記リリース層を分離する、半導体基板の処理方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

はんだバンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115908 出願人：千住金属工業株式会社, 東京電子工業株式会社

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